windows之家1.求知识!!!内存CL设置是几个意思:例如7
内存的实质是随时写入/读取存储器，是一种高速存储器。
CPU不能直接读取硬盘内的数据进行计算，那么硬盘的数据就要通过内存来实现和CPU之间的交换，所有的程序运行时候都要调入到内存里才能进一步交换给CPU计算。如果内存速度（频率）低，会直接影响到内存与CPU进行数据交换的速度，因此影响到整体的计算速度。
内存频率虽然重要，内存时序优化也很重要。如果内存时序调校得不好，就算CPU体质再好，频率一样上不去。
在主板BIOS设置中，有以下几个重要的内存时序参数： 1. DRAM Command Rate(CMD Rate) 这个参数表示“首命令延迟”。该参数的单位是时钟周期，越小越好。
不过，当内存较多且系统工作不太稳定时，要将此参数调大。在K8主板上，CMD Rate的选项有Auto、1T或2T。
品质好一点的内存模组可以使用1T来提高性能，大部分主板为了保证更好的兼容性，默认采用了2T的保守值。 2. CAS# Latency(tCL) CAS表示“列地址选通脉冲”，在内存寻址后，系统必须等待列地址信号CAS才能开始进行数据传输，CL就是列地址脉冲的反应时间，它是衡量内存品质的重要参数之一。
通常DDR2内存的tCL=4/5/6，在稳定的前提下，数值越低越好。 3. RAS to CAS Delay(tRCD) 该参数表示“行寻址至列寻址延迟时间”，这个参数主要影响带宽和稳定性，数值越小越好。
在超频时大部分内存在设定为5以上时会改善不少稳定性。 4. Row Precharge Timing(tRP) 该参数表示“行位址预充电时间”，即内存从结束一个行存取操作到重新开始下次操作的间隔时间。
和tRCD类似，tRP也主要影响带宽和稳定性，数值也是越小越好。 5. Minimum RAS Active Timing(tRAS) 该参数表示“从行激活到预充电开始程序之间的最小时钟周期”，即从收到一个请求后到初始化RAS并真正接收数据的间隔时间。
6. Trfc*(0/1/2/3) for DIMM*(0/1/2/3) 该参数主要影响带宽和稳定性，可设置为75ns、127.5ns、195ns、327.5ns等。如果CPU外频在340MHz以下，建议设置为127.5ns；外频在340MHz~370 MHz范围内，建议设置为195ns；外频高于370MHz时，建议设置为327.5ns。
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